钨铜合金微电子封装与热沉材料
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产品属性:
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| 所在地: | 上海上海市 |
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详细信息
钨铜合金 微电子封装与热沉材料





钨铜电子封装和热沉材料,既具有钨的低膨胀特性,又具有铜的高导热特性,其热膨胀系数和导热导电性能可以通过调整钨铜的成分而加以改变,因而给钨铜提供了更广的应用范围。由于钨铜材料具有很高的耐热性和良好的导热导电性,同时又与硅片、砷化镓及陶瓷材料相匹配的热膨胀系数,故在半导体材料中得到广泛的应用。适用于与大功率器件封装材料、热沉材料、散热元件、陶瓷以及砷化镓基座等。
用于封装热沉的钨铜材料的主要性能
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热导率
W/(m﹒k)
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热膨胀系数
10-6/K
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密度
g/cm3
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比热导率
W/(m﹒k)
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WCu
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140~210
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5.6~8.3
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15~17
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9~13
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WCu10
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140~170
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5.6~6.5
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17.0
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WCu15
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160~190
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6.3~7.3
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16.4
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WCu20
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180~210
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7.6~9.1
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15.6
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MoCu
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184~197
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7.0~7.1
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9.9~10.0
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18~20
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御波公司采用全新合成技术,能根据客户的要求在不同基材(铝、铜、钢等)上制备钨铜层,所制备钨铜层与基材结合强度,结构致密,热循环性能良好,可广泛应用于微电子的封装及热沉材料领域,相比纯钨铜片产品,具有高导热性能,低膨胀系数,高性价比等性能。
御波公司可根据客户的要求,定做各种异型规格。定做不同钨比例钨铜合金。如以下物理指标:
物理指标
钨铜CuW55% 硬度:72HRB,导电率:45% ,软化温度:900℃
钨铜CuW75% 硬度:94RHRB,导电率:40%IACS,软化温度:900℃
钨铜CuW80% 硬度:98RHRB,导电率:35%IACS,软化温度:900℃
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